揚(yáng)州欣達(dá)電子有限公司

    用濺射法制備薄膜時(shí)，到達(dá)基片的濺射粒子的能量比蒸發(fā)法的要大得多，因此會(huì)給薄膜的形成帶來(lái)一系列的影響，除了使膜與基片的附著力增加外，還會(huì)由于高能離子轟擊薄膜表面使其溫度上升而改變薄膜的結(jié)構(gòu)，或使薄膜內(nèi)部應(yīng)力增加等。濺射粒子的能量與濺射電壓、基片與靶的距離、真空室氣體的壓強(qiáng)等密切相關(guān)，因此薄膜的形態(tài)及結(jié)構(gòu)就與上述因素有關(guān)。圖5一11給出了工作氣體壓強(qiáng)和基片溫度與薄膜結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系。區(qū)域I為多孔柱狀區(qū)，呈現(xiàn)葡萄狀結(jié)構(gòu);有較多的氣孔;區(qū)域II為致密纖維狀區(qū)，比區(qū)域I致密，氣孔少;區(qū)域Ⅲ為完全致密的柱狀晶粒區(qū);區(qū)域Ⅳ為高溫導(dǎo)致柱狀晶變?yōu)榈容S晶粒區(qū)。濺射薄膜常常呈現(xiàn)柱狀結(jié)構(gòu)，猶如許多直徑約為幾百埃的小柱體緊密地聚集在一起而形成的。這種柱狀結(jié)構(gòu)被認(rèn)為是由于原子或分子在基片上具有有限的遷移率所引起的。這種柱狀結(jié)構(gòu)由于在小柱體之間留下了很多類似毛細(xì)孔的空隙，將使薄膜的性能容易變化。